Новости

4 Гбит чип LPDDR3 DRAM и 64 Гб чип e-MMC NAND от Samsung

4 Гбит чип LPDDR3 DRAM от компании Samsung изготовлен с учётом технологических норм 30 нм класса, а его энергопотребление на 20% меньше, чем у его предшественников. Также данная память может обеспечить скорость передачи информации со скоростью до 1600 Мбит/с, что значительно быстрее предыдущего поколения. Выпуск образцов нового чипа состоится в четвёртом квартале, он будет поставляться в стеках DRAM разных ёмкостей: 8 Гбит (1 Гб), 16 Гбит (2 Гб).

При производстве 64 Гб чипа e-MMC NAND применена технология 20 нм класса, сам же он оснащён интерфейсом Toggle DDR 2.0, что позволят обеспечить максимальную скорость последовательной записи и чтения данных на уровне 40 и 80 Мб/с. Толщина высокопроизводительного решения с большими ёмкостями составит всего 1,4 нм, что позволяет ему подходить к тонким мобильным устройствам.

На сайте по ссылке Вы можете скачать оперу mini совершенно бесплатно! При этом скорость скачивания достаточно высокая!

Оставьте Ваш отзыв